МОДЕЛИРОВАНИЕ И РАСЧЕТ СПЕКТРА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С КВАНТОВОЙ ЯМОЙ НА ПРИМЕРЕ ALGaAS/GaAS

Аннотация

Целью научного исследования является совершенствование имеющихся средств характеризации излучающих свойств гетероструктур с квантовой ямой путем моделирования и проведения расчетов спектров поглощения и фотолюминесценции на примере гетероструктуры GaAs/AlGaAs. На основе многослойных гетероструктур и гетероструктур с квантовой ямой ведутся исследования по разработке детекторов и излучающих элементов в инфракрасном диапазоне частот, импульсных твердотельных генераторов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн. Широкое распространение получило исследование излучающих свойств гетероструктур с квантовой ямой на соединениях типа А3В5 [1-3]. Подбором оптимального состава слоя широкозонного полупроводника, уровня и типа его легирования, области легирования, ширины слоя квантовой ямы возможно управление частотой излучения гетероструктуры, что имеет прикладное значение для разработки устройств оптоэлектроники. Технологии изготовления таких гетероструктур являются трудоемкими, длительными и дорогостоящими процессами, что способствуют развитию методов их моделирования и методов расчета характерных частот излучения и поглощения излучения. На основе проведения подобных расчетов могут быть разработаны излучающие элементы субмикронного диапазона длин волн на основе гетероструктур с квантовой ямой на соединениях типа А3В5 [4].