ВОЗДЕЙСТВИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ МОЛИБДЕНОМ

  • Sh. Daliev Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана
  • A. Paluanova Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана
DOI: https://doi.org/10.31618/ESU.2413-9335.2021.5.82.1240
Ключевые слова: кремний, примесь, молибден, диффузия, легирование, выращивание, емкостная спектроскопия, дефектный центр, глубокий уровень.

Аннотация

С помощью емкостной спектроскопии исследовано влияние термических обработок на энергетический спектр глубоких уровней в кремнии с примесью молибдена. 

Обнаружено, что высокотемпературная обработка в интервале температур 900÷1200оС приводит к активации электронейтральных атомов молибдена в кремнии приводит с образованием дефектных центров с глубокими уровнями Ес–0.20 эВ и Ес–0.29 эВ. Показано, что дополнительная термообработка при Т=100÷400оС приводит к трансформации спектров DLTS и образованию нового уровня с энергией ионизации Ес– 0.33 эВ.

Литература

Милнс Л. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. – М., Мир, 1977, 547с.

Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Пер. с англ., М., Мир, 1984, 471 с.

Lemke H. Properties of Silicon Crystals Doped with Zirconium or Hafninm. Phys.Stat.solidi (a), v.122, (1990), Pp. 617-630.

Weber E.R. Transition Metals in Silicon. //J. Appl. Phys., 1983, A 30, p. 1-22.

Фистуль В.И., Шмугуров В.А. Межузельные состония примесей переходных металлов в кремнии (обзор). //ФТП, 1989, т.23, в.4, с.677-692.

Shakhrukh Kh. Daliev, Shoira P. Usmanova, Anifa D.Paluanova. Energy Spectrum of Defective Centers in Silicon Doped with Molybdenum// International Journal of Emerging Trends in Engineering Research, 8(9), September 2020, 6222 – 6325.Volume 8. No. 9, September 2020.

Далиев Ш.Х., Рахмонов Ж.С., Утамурадова Ш.Б. Низкотемпературный отжиг уровней циркония в кремнии.- ДАН РУз, 2009, №6, с.45-47.

Далиев X.C., Утамурадова Ш.Б., Далиев Ш.Х. Неравновесные процессы в кремнии и кремниевых многослойных структурах. Ташкент: НУУз, 147 С.

Daliev Sh.Kh. Deep Levels of Zirconium in Silicon and Silicon Structures. World Journal of Engineering Research and Technology (WJERT), 2017, Vol. 3, Issue 6, р. 89 -94.

Lang D.V. Deep level transient spectroscopy A new method to characterize traps in semiconductors. J.Appl. Phys. 1974.Vol.45. №7, p. 3023-3032.

Miller G.L., Lang D.V., Kimerling L.C. Capacitance transient spectroscopy. 3. Ann.Rev.Mater.Sci., 1977, v.7, p.377-448.

Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л., (1981), 190 с.

Brotherton S.D., Bradley P., and Gill A., "Electrical observation of the Au-Fe 4. complex in silicon", J. Appl. Phys., 1984, v.55(4), pp.952-956

Опубликован
2021-02-15
Как цитировать
Daliev, Sh., и A. Paluanova. 2021. «ВОЗДЕЙСТВИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ МОЛИБДЕНОМ ». EurasianUnionScientists 5 (1(82), 50-53. https://doi.org/10.31618/ESU.2413-9335.2021.5.82.1240.
Выпуск
Том 5 № 1(82) (2021): ЕВРАЗИЙСКИЙ СОЮЗ УЧЕНЫХ №82
Раздел
Статьи

CC BY-ND

Эта лицензия позволяет свободно распространять произведение, как на коммерческой, так некоммерческой основе, при этом работа должна оставаться неизменной и обязательно должно указываться авторство.